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三星电子计划打造3纳米GAA工艺追赶台积电据 BusinessKorea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积2022-06-21 08:58 -
三星电子计划三年内建立3纳米GAA工艺赶上台积电基于 3 纳米的全环绕栅极(Gate-All-AroundT，简称 GAA)工艺有望成为半导体行业的游戏规则改变者。三星电子计划在未来三年内通过建立 32022-06-21 08:52
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